PRODUCT CENTER
产品中心
漏（lòu）源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)： | 650 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 170 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 190 |
最大漏极电流Id(on)(A)： | 20 |
驱动电（diàn）压(V)： | 10 |
通道极性： | N沟道 |
封装/温度(℃)： | TO-220F-3L/-55~125 |
描述（shù）： | 650V,190mΩ,20A,N沟道（dào）基于超（chāo）级结技术的功率MOSFET |
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鄂公网安备 42018502005668号 | 鄂（è）ICP备2022001247号（hào）
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