PRODUCT CENTER
产品中心
漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)： | 650 |
导（dǎo）通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 70 |
导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 74 |
最大漏极电流Id(on)(A)： | 47 |
通道（dào）极性： | N沟道 |
封装/温度(℃)： | TO-247-3L/-55~125 |
描述： | 650V,74mΩ,47A,N沟道（dào）基于超级结技（jì）术的功率（lǜ）MOSFET |
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