PRODUCT CENTER
产品中心（xīn）
漏源电压BV DSS (V)(Min.)： | 600 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 83 |
导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 99 |
最大漏极电流Id(on)(A)： | 40 |
通道极性： | N沟道 |
封（fēng）装/温（wēn）度(℃)： | TO-263-2L(D2PAK)/-55~125 |
描述（shù）： | 600V，99mΩ，40A，N沟道基于（yú）超级结技术的功（gōng）率MOSFET |
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