PRODUCT CENTER
产品中心（xīn）
漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)： | 600 |
导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 170 |
导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 190 |
最大漏极电流Id(on)(A)： | 20 |
通（tōng）道极性： | N沟（gōu）道 |
封装（zhuāng）/温度(℃)： | TO-220-3/-55~125 |
描述： | 600V，190mΩ，20A，N沟道基（jī）于（yú）超级结技术（shù）的功率MOSFET |
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