PRODUCT CENTER
产品中心
漏源电压BV DSS (V)(Min.)： | 650 |
导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 300 |
导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 360 |
最（zuì）大漏极电流（liú）Id(on)(A)： | 11 |
通（tōng）道（dào）极性： | N沟道 |
封装/温度(℃)： | TO-220F-3L/-55~125 |
描述： | 650V,360mΩ,11A,N沟道基（jī）于超级（jí）结技术的功率MOSFET |
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