PRODUCT CENTER
产（chǎn）品中心
漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)： | 650 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 65 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 70 |
最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)： | 47 |
通道极（jí）性： | N沟道（dào） |
封（fēng）装/温度(℃)： | TO-247-3L/-55~125 |
描述： | 650V,70mΩ,47A,N沟（gōu）道基于超级结技（jì）术的功率MOSFET |
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