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产品中（zhōng）心（xīn）
漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)： | 600 |
导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 65 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 70 |
最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)： | 47 |
通（tōng）道极（jí）性： | N沟道 |
封（fēng）装/温度(℃)： | TO-247-3L/-55~125 |
描述： | 600V,70mΩ,47A,N沟道基于超级结技术的（de）功（gōng）率MOSFET |
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