PRODUCT CENTER
产品（pǐn）中心
漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)： | 550 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 170 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 190 |
最大漏（lòu）极（jí）电流Id(on)(A)： | 20 |
通道极（jí）性（xìng）： | N沟道 |
封装/温度(℃)： | TO-263-2L(D2PAK)/-55~125 |
描述： | 550V,190mΩ,20A,N沟道基于（yú）超级结技术（shù）的功率MOSFET |
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