PRODUCT CENTER
产品中心
漏源电压BV DSS (V)(Min.)： | 650 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 480 |
导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 600 |
最大漏（lòu）极电流Id(on)(A)： | 7 |
通道极性： | N沟（gōu）道（dào） |
封装/温度(℃)： | TO-251-3L/-55~125 |
描述： | 650V,600mΩ,7A,N沟（gōu）道基于超级结技术（shù）的功率MOSFET |
添加官方（fāng）客服 快速申（shēn）请样品
关注官方微信公众号 随时掌（zhǎng）握最新（xīn）动态（tài）
版权所（suǒ）有©2021 武汉【万象城在线登录 集团】承接建筑室内外设计装修，特种工程（切割加固、纠偏平移、起重吊装、防雷工程）设计施工，家居设计装修，别墅设计装修，公装设计装修，办公室设计装修，酒店设计装修，会所设计装修?，洗浴设计装修，KTV设计装修、医院设计装修，学校设计装修，连锁店设计装修，专卖店设计装修等装饰装修工程。"和芯源半导体有限公（gōng）司（sī） 
鄂公网安备 42018502005668号 | 鄂ICP备2022001247号
鄂公网安备 42018502005668号 | 鄂ICP备2022001247号
