PRODUCT CENTER
产品中心
漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)： | 650 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 70 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 74 |
最大漏（lòu）极电流Id(on)(A)： | 47 |
通道（dào）极（jí）性： | N沟道 |
封（fēng）装/温度(℃)： | TO-263-2L(D2PAK)/-55~125 |
描述： | 650V,74mΩ,47A,N沟（gōu）道（dào）基（jī）于超（chāo）级结技（jì）术的功率MOSFET |
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