PRODUCT CENTER
产品中心（xīn）
漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)： | 550 |
导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 120 |
导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 140 |
最（zuì）大（dà）漏极电流Id(on)(A)： | 25 |
通道（dào）极性： | N沟（gōu）道 |
封装/温度(℃)： | TO-263-2L(D2PAK)/-55~125 |
描述（shù）： | 550V,140mΩ,25A,N沟道（dào）基（jī）于超级（jí）结技术（shù）的（de）功率MOSFET |
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