PRODUCT CENTER
产品中心
漏（lòu）源（yuán）电压（yā）BV DSS (V)(Min.)： | 650 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 177 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 190 |
最大漏极电流Id(on)(A)： | 20 |
通道极性： | N沟道 |
封装（zhuāng）/温度(℃)： | TO-252-2L(DPAK)/-55~125 |
描（miáo）述： | 650V,190mΩ,20A,N沟（gōu）道基（jī）于（yú）超级（jí）结技术的功率（lǜ）MOSFET |
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