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漏源电压BV DSS (V)(Min.)： | 600 |
导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 65 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 70 |
最大（dà）漏极（jí）电流Id(on)(A)： | 47 |
通道（dào）极性： | N沟道 |
封装（zhuāng）/温（wēn）度(℃)： | TO-263-2L(D2PAK)/-55~125 |
描（miáo）述： | 600V,70mΩ,47A,N沟道基于超级结技术（shù）的功（gōng）率（lǜ）MOSFET |
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