PRODUCT CENTER
产品中心
漏（lòu）源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)： | 700 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 380 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 430 |
最大漏（lòu）极电流Id(on)(A)： | 11 |
通道极性： | N沟道（dào） |
封装/温度(℃)： | TO-252-2L(DPAK)/-55~125 |
描（miáo）述： | 700V,430mΩ,11A,N沟道基于超级结技术的功率（lǜ）MOSFET |
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