PRODUCT CENTER
产（chǎn）品中心（xīn）
漏源电压BV DSS (V)(Min.)： | 600 |
导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 170 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 190 |
最（zuì）大漏极电流（liú）Id(on)(A)： | 20 |
通道极（jí）性： | N沟（gōu）道（dào） |
封装/温度(℃)： | TO-220F-3/-55~125 |
描（miáo）述（shù）： | 600V,190mΩ,20A,N沟道基于超级结（jié）技术的功率MOSFET |
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