PRODUCT CENTER
产品中心
漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)： | 650 |
导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 170 |
导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 190 |
最大漏极电流Id(on)(A)： | 20 |
通道极性： | N沟道 |
封装/温度（dù）(℃)： | TO-247-3L/-55~125 |
描述： | 650V,190mΩ,20A,N沟道基于超级结技术的功率（lǜ）MOSFET |
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