PRODUCT CENTER
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漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)： | 600 |
导通（tōng）电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 120 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 150 |
最大漏极电流Id(on)(A)： | 24 |
驱动电压(V)： | 10 |
通道极性（xìng）： | N沟道（dào） |
封装/温度（dù）(℃)： | TO-247-3/-55~125 |
描述： | 600V,150mΩ,24A,N沟道基于超（chāo）级结技术的功率MOSFET |
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