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漏源电压BV DSS (V)(Min.)： | 550 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 530 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 580 |
最大（dà）漏极电流Id(on)(A)： | 8 |
通道极性： | N沟道（dào） |
封装/温度(℃)： | TO-252-2L/-55~125 |
描述： | 550V,580mΩ,8A,N沟道基于超（chāo）级结（jié）技术的功（gōng）率MOSFET |
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