PRODUCT CENTER
产（chǎn）品中心
漏源电压BV DSS (V)(Min.)： | 600 |
导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 110 |
导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 130 |
最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)： | 30 |
通（tōng）道极性： | N沟道 |
封（fēng）装/温度(℃)： | TO-220F-3L/-55~125 |
描述： | 600V,130mΩ,30A,N沟道基于超级结技术的（de）功率MOSFET |
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