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产品中（zhōng）心
漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)： | 650 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 300 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 360 |
最大漏极电流Id(on)(A)： | 11 |
驱动电压(V)： | 10 |
通（tōng）道极性（xìng）： | N沟道 |
封装/温度(℃)： | TO-220-3/-55~125 |
描（miáo）述： | 650V，360mΩ，11A，N沟道基于超级结技术的功率MOSFET |
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鄂公网安备 42018502005668号 | 鄂ICP备（bèi）2022001247号（hào）
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