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漏源电压BV DSS (V)(Min.)： | 650 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 300 |
导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 360 |
最大漏极电流Id(on)(A)： | 11 |
通道（dào）极性： | N沟（gōu）道 |
封装/温度（dù）(℃)： | TO-263-2L/-55~125 |
描述： | 650V,360mΩ,11A,N沟道基于（yú）超级结技术（shù）的（de）功（gōng）率MOSFET |
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