PRODUCT CENTER
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漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)： | 700 |
导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 900 |
导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 1100 |
最大漏极电流Id(on)(A)： | 5 |
通道极性： | N沟道 |
封装/温度（dù）(℃)： | TO-251-3L(IPAK)/-55~125 |
描述： | 700V,1100mΩ,5A,N沟道基于超级结技术（shù）的功（gōng）率MOSFET |
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