PRODUCT CENTER
产（chǎn）品中心
漏源电压BV DSS (V)(Min.)： | 650 |
导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 480 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 600 |
最大漏极电流Id(on)(A)： | 7 |
通道极性： | N沟道 |
封装/温度(℃)： | PDFN5*6/-55~125 |
描述（shù）： | 650V,600mΩ,7A,N沟道基（jī）于超级（jí）结技术的功率MOSFET |
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