PRODUCT CENTER
产（chǎn）品中心
漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)： | 550 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 110 |
导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 140 |
最大漏极电流Id(on)(A)： | 25 |
通（tōng）道极性： | N沟道 |
封装/温（wēn）度(℃)： | TO-220F-3L/-55~125 |
描述： | 550V,140mΩ,25A,N沟道基于超级结技术的功率（lǜ）MOSFET |
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