PRODUCT CENTER
产品中心
漏源电压BV DSS (V)(Min.)： | 550 |
导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 170 |
导（dǎo）通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 190 |
最大漏（lòu）极电流（liú）Id(on)(A)： | 20 |
通道极（jí）性： | N沟道 |
封装/温度(℃)： | TO-220F-3L/-55~125 |
描述： | 550V,190mΩ,20A,N沟道（dào）基于超级（jí）结技术的（de）功率MOSFET |
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